【作者】 王祝盈； 谢中； 翦知渐； U.Koehler； V.Dorna；

【Author】 LIU Guo-fan;WANG Jing;ZHANG Jing-chao;RUAN Sheng-ping;XU Bao-kun Department of Electronic Engineering, Jilin University Changchun, 130023, China Department of Electronic Engineering, Dalian University of Technology Dalian, 116023, China

【机构】 湖南大学应用物理系； 湖南大学材料科学与工程学院； Institut fuer Experimentalphysik Ruhr-Universitaet Bochum Germany； Institut fuer Experimentalphysik；

【摘要】 本文介绍了运用高温、原位扫描电子显微镜（STM）对采用Si₂H₆作气派引起的Si在Si（111）和Si（113）表面上沉积生长过程进行了比较研究。STM图象动态显示了Si（111）和Si（113）上Si膜层的微观生长过程。结果表明,当Si₂H₆压强一定时,两种表面在温度大于500℃时均有较高的生长速率。但二者表面膜层的生长方式截然不同。对于Si（111）7×7表面,生长是从形成一个个表面吸附岛核开始的,然后各吸附岛以三角形的形状横向生长,STM图象显示,各三角形吸附岛上又有新的吸附岛,即岛上有岛,随着生长的进行,这些吸附岛不断扩大,最后连成一片。而在Si（113）3×2表面上,初始生长有两种模式,它们在各自的区域内完全互相独立地进行。本文对上述实验结果进行了详细的描述和讨论。更多还原

【Abstract】 Humidity sensing properties of nanocrystal BaTiO₃ sensors were effected by doping certain impurities ofinorganic, organic and rare-earth elements. These properties, including sensitivity,resistance, humidity hysteresis,long-term stability,and response and recover times, were analyzed and compared. The mechanism of the influence ofimpurities on BaTiO₃ humidity sensing properties was discussed.更多还原