【作者】 张金福； 刘会赟； 徐波； 陈涌海； 丁鼎； 王占国；

【Author】 ZHANG Jin-fu;LIU Hui-yun;XU BO;CHEN Yong-hai;DING Ding;WANG Zhan-guo Laboratory of Semiconductor Materials Science;Institute of Semiconductors;Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室；

【摘要】 我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs 覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响。对于单层样品,非共格而且较大的InAs 量子点出现在2.5个原子单层的覆盖度。一旦非共格的量子点形成,量子点将迅速合并,形成不规则的形状。与单层样品相比,在种子层的影响下较大且均匀的InAs 量子点形成于2.9原子单层,其横向尺寸达到43nm,高度达到11nm。另外,我们观测到了具有双模分布的量子点在2.5原子单层的覆盖度出现。我们通过对种子层对GaAs 表面的影响和平均InAs/GaAs 失配的减小对环型位错形成作用系统地分析,解释较大量子点在种子层影响下形成的原因。同时,我们的理论模型还解释另外的一些实验现象,如InGaAs/GaAs 量子点对位错形成的抑制。更多还原

【Abstract】 The size and shape evolution of self-assembled InAs quantum dots (QDs) influenced by 2.0-ML InAs seedlayer has been systematically investigated for 2.0, 2.5, and 2.9-ML deposition on GaAs(100) substrate. Based oncomparisons with the evolution of InAs islands on single layer samples at late growth stage, the bimodal size distributionof InAs islands at 2.5-ML InAs coverage and the formation of larger InAs quantum dots at 2.9-ML deposition have beenobserved on the second InAs layer.The further cross-sectional transmission electron microscopy measurement indicatesthe layer InAs QDs at 2.9-ML deposition on the second layer are free of dislocation. In addition, the interpretations forthe size and shape evolution of InAs/GaAs QDs on the second layer will be presented.更多还原