【作者】 邓宏； 姜斌； 杨邦朝； 曾娟； 李阳； 章瑜；

【Author】 DENG Hong;JIANG Bin;YANG Bang-chao;ZENG Juan;LI Yang;ZHANG Yu Institute of Information Materials & Engineeringh University of Electronic Science & Technology of China,Chengdu,610054, China The 43~(rd) Electronic Institute. China,Minisfry of Information Indusfry He Fei, 230022. China

【机构】 电子科技大学信息材料工程学院； 信息产业部电子43所；

【摘要】 采用BSG（Borosilicate Glass）与SiO₂复合体系制备的低温低介基板材料,其主要性能指标为:介电常数ε≤3.6（1MHz）,介质损耗角正切tgδ≤2.5×10^-3,电阻率ρ≥1.3×10¹³Ω·cm,耐压强度E≥76kV/mm,抗折强度≥237MPa,热膨胀系数α≈3.6×10^-6/℃,导热率k≈1W/mK。更多还原

【Abstract】 Low temperature co-sintering low dielectric coefficient substrate material made of Borosillicate Glass andSiO₂ composite was investigated. It’s mainly properties are as following: ε≤3.6（1MHz）,tgδ≤25×10^-3,ρ≥1.3×10¹³Ωcm,E≥76kV/mm,α≈3.6×10^-6/℃,k≈1W/m·K.更多还原