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势垒形状对隧穿磁电阻及其与偏压之关系的影响:理论示例

Effcct of the Barrier Shape on the Tunneling Magnetoresistance and its Bias-dependence: Thereotical Exemplifications

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【作者】 谢征微李伯臧

【Author】 XIE Zheng-wei; LI Bo-Zang Institute of Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; Department of Physics, Sichuan Normal University, Chengdu, 610066, China

【机构】 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心

【摘要】 在Slonczewski 自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见势垒,即梯形势垒,计入了镜象势的梯形势垒和抛物线势垒为例,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响。

【Abstract】 Based on the Slonczewski’s free electron model, we present a simple method that can be used to study theelectron transport properties in magnetic tunnel junction with arbitrary barrier shape. As examples, the TMR for threefamiliar barrier shapes, i.e., the trapezoidal barrier, that with mirror potential taking into account, and the parabolicbarrier, has been calculated.

【基金】 国家自然科学基金(10074075)
  • 【会议录名称】 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第四届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】2001-10
  • 【会议地点】中国厦门
  • 【分类号】TM54
  • 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会
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