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纳米半导体薄膜的结构特征
Structure Characterization of Nanometer Semiconductor Films
【Author】 Lin Hongyi Wu Yaomin Qi Qiuqun Jang Yunchen Zhen Huaide~+ (Department of Electronics Engineering,Beijing Institute of Technology,Beijing,100081,China) (+Institute of Semicondiuctors,Academia Sinica,Beijing,100083,China)
【机构】 北京理工大学电子工程系； 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 纳米半导体硅(nc-Si:H)薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即界态相和晶界相组成。这对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。
【Abstract】 Hydrogenated nano-crystalline silicon （nc-Si2H） pilms have been prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD） method under excellently controlled conditions of deposition. The nc-Si2H films consist of a mass of nanometer scale grains and intenfacial regions,i.e.the crystalline phase and the grain boundary phase.It is especially valuable for some devices,such as quantum function devices and film sensors etc.
【Key words】 semiconductor materials nano-crystalline materials； nano-crystalline silicon film； quantun function device；
- 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1995-10-23
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O649
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学