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ZnO材料的导电性研究
Study of Electrical Properties of ZnO
【Author】 Jiang Bin Wang Enxing Xie Changjian Yun Zhengzhong (UEST of China,Chhengdu,610054,China)
【机构】 电子科技大学信息材料工程学院;
【摘要】 ZnO的禁带宽度约3.3eV,通过掺杂和控制氧空位有可能获得透光性较好的导电材料。我们研究了不同掺杂浓度对其电阻率的影响,试制出电阻为10-1Ω.cm,具有一定透光性的样品。
【Abstract】 The band gap of zimc oxide is 3.3eV. By controlling te doped materials can obtained transparent and coinduitive zine oxide.Different kinds of doped zine oxide were studied,the electrical properties of which are disscussed.
- 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1995-10-23
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O614.41
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学