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在有图形衬底上COSi2的选择生长

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【作者】 秦复光姚振钰江海刘志凯黄大定林兰英武国英郝一龙李志宏张国炳陈文茹顾页

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心北京大学微电子学研究所

【摘要】 我们采用质量分离的低能离子束工艺,继在无SiO2图形的Si衬底上实现了CoSi2的外延之后,又在有SiO2图形的Si衬底上作了CoSi2选择生长的进一步研究。

【基金】 “八五”攻关的一个专题项目
  • 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】1995-10-23
  • 【会议地点】中国四川成都
  • 【分类号】O782
  • 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学
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