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在有图形衬底上COSi2的选择生长
【作者】 秦复光； 姚振钰； 江海； 刘志凯； 黄大定； 林兰英； 武国英； 郝一龙； 李志宏； 张国炳； 陈文茹； 顾页；
【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心； 北京大学微电子学研究所；
【摘要】 我们采用质量分离的低能离子束工艺,继在无SiO2图形的Si衬底上实现了CoSi2的外延之后,又在有SiO2图形的Si衬底上作了CoSi2选择生长的进一步研究。
【基金】 “八五”攻关的一个专题项目
- 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1995-10-23
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学