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脉冲激光蒸发法制备LaNiO3薄膜电极
Preparation of LaNiO3 Thin Film Electrode by Pulsed Laser Ablation
【作者】 于涛； 陈延峰； 刘治国； 陈晓原； 孙力； 闵乃本； 周军； 吉争鸣；
【Author】 Yu Tao Chen Yanfeng Lin Zhiguo Chen Xiaoyuan Sun Li Ming Naiben (National Laboratory of Solid State Microstructures,Nanjing University and Center for Advanced Studies in Science and Technology of Microstructures,Nanjing,210093,China) Zhou Jun Ji Zhengming (Department of Electronic Science and Engineering,Nanjing University,Nanjing,210093,China)
【机构】 南京大学固体微结构物理实验室微结构科学技术高等研究中心； 南京大学电子科学与工程系；
【摘要】 本工作报告的是用脉冲激光蒸发法（PLA）在（001）SrTiO3,（001）LaAlO3和（001）YSZ单晶衬底上制备LaNiO3薄膜电极,用扫描电镜对薄膜表面形貌进行了研究,用XPS和电子探针技术对薄膜成分进行了分析,X射线衍射和Φ扫描结果显示LaNiO3薄膜在SrTiO3和LaAlO3衬底上是外延的,低温电阻—温度曲线证明LaNiO3薄膜具有良好的金属导电特性。
【Abstract】 In this paper we report on the epitaxial growth of LaAlO3 thin film electrode on the single crystal substrates such as（001） SrTiO3,（001）LaAlO3 and（001）YSZ by pulsed laser ablation（PLA） method.
- 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1995-10-23
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学