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纯SiH4生长的a—Si:H的光吸收性质
【机构】 中国科学院长春物理研究所；
【摘要】 <正>1前言非晶态半导体由于近年来应用之广泛而日益受到人们的重视,在众多非晶半导体中非晶硅是非常活跃的一个分支,自从1975年Spear等人首次用辉光放电法实现非晶硅的掺杂效应以来,非晶硅的辉光放电法制备越来越引起人们的注意。尤其以太阳能电池为背景的a-Si: H研究是推动a-Si:H发展的主要动力,近年来a-Si:HTFT′s也成为a-Si:H应用的一个重要组成部分。
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TN304.8
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部