节点文献
SF6/CCl2F2中加O2反应离子深刻蚀Si
【作者】 姜建东； 孙承龙； 王渭源； 陈芬扣； 叶树萍； 王德宁；
【机构】 中国科学院传感技术联合开放国家实验室(上海冶金所)；
【摘要】 采用SF6/CCl2F2/O2气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,进行了硅的反应深刻蚀研究。用Cr作掩膜,获得了各向异性刻蚀结果,硅台阶高度T=10μm,台阶倾斜角小于5°,横向腐蚀约0.5μm,刻蚀表面粗糙度约10%。用这种工艺,还刻蚀出直径为500μm,厚为10μm的硅齿轮。
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TN305.7
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部