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Ga1-xAlxAs/GaAs量子阱中激子在纵向外电场中的性质
【机构】 兰州大学物理系；
【摘要】 <正>1前言超晶格量子阱材料中载流子运动的二维性质和能量的量子化,使自由激子束缚能和振荡能都增大,并且使激子具有较大的复合几率。Mendez等人研究了电场对Ga1-xAlxAs/GaAs量子阱中的光荧光特性。他们发现,在一个窄量子阱上加一个中等大小的电场（10～50kV/cm）,就能灵敏地减小甚至完全焠灭这种多量子阱中激子的发光。本文用分离法计算了在纵向外电场作用下,量子阱中激子的基态能级,由此讨论了外加电场对激子的峰移、偶极子强度和交换能的影响。
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】O641.1
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部