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SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
【作者】 卜俊鹏； 曹福年； 白玉珂； 吴让元； 惠峰； 刘明焦； 何宏家；
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正>1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入29Si+,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。29Si+注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决定作用。因此探索和研究影响离子注入层性能因素是十分必要的。这对研制真正适合微波器件和集成电路的SI—GaAs材料是十分重要的,同时对研制GaAs器件和集成电路也有很大意义。我们主要研究了SI—GaAs基本迁移率,离子注入能量对注入层迁移率的影响。另外,我们还研究了SI—GaAs基体电
- 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1992-10-26
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TN305.3
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部