CdSe晶片的红外透过率研究

【作者】 何知宇； 赵北君； 朱世富； 叶林森； 钟雨航； 王立苗； 杨慧光；

【机构】 四川大学材料科学系；

【摘要】 将采用多级提纯、垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶锭切割,获得沿径向位置分布的0.8mm厚的系列晶片,利用日本SHIMAZU公司的Irpresting-21傅立叶变换红外光谱仪对该晶片组的红外透过率进行了测试。测试结果显示,红外透过率的高低可反映晶片的成分分布、位错密度以及杂质含量的情况,并进一步从晶片对红外光的吸收机理出发,分析阐述了它们的红外透过率谱图的形状与晶片性能的内在联系:在中红外波段,CdSe₁和CdSe₄的红外透过率随着波速的减小而上升,晶片中晶格吸收的影响超过了其他吸收机理,此类晶片的成分偏离和位错密度较大,造成晶格错配较大,红外吸收增强;CdSe₁2的红外透过率随着波速的减小而下降,晶片中的自由载流子吸收占主导地位,杂质和自由载流子浓度高,晶片的电阻率较低;CdSe₆和CdSe₉的红外透过率不随着波速的变化而变化,晶片的晶格失配小、载流子浓度较低,红外透过率高,晶片的质量较为理想。更多还原