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半导体硅熔体电导率的间接测定
【机构】 河北工业大学材料学院；
【摘要】 晶体生长向大直径发展应该重视对环境相的研究,以半导体硅单晶生长为例,晶体和熔体(浓厚的环境相)本来是对立统一的两个方面,长期以来,由来追求晶体质量和成品率,忽视了环境相的变化和对晶体的影响。在对晶体大直径生长计算机模拟过程中,环境相的重要物性参数(熔体动力粘滞系数ν,表面张力f,体膨胀系数β,热扩散系数κ,电导率σ等)缺乏精确的研究,给模拟带来重大误差。经典晶体生长理论把熔体看成连续介质,不考虑其结晶效应。在过冷和磁场条件下,环境相(熔体)中形成一定尺寸,一定几何晶型的生长“基元”。环境相中发生的浓度与密度的起伏也应该是正常的。
【基金】 国家自然科学基金(批准号50372016);教育部科学研究重点项目(205017)资助项目
- 【会议录名称】 第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第14届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2006-11
- 【会议地点】中国福建福州
- 【分类号】O613.72
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会