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电子辐照直拉硅中空位型缺陷的红外光谱研究
【作者】 蔡莉莉； 李养贤； 陈贵锋； 李兴华； 郝建刚； 张昱；
【机构】 河北工业大学材料学院； 天津技术物理研究所；
【摘要】 用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)研究了不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-Si)中辐照缺陷在不同温度热处理后的行为,实验发现随辐照剂量的增加未退火样品的间隙氧含量下降,FTIR谱表明电子辐照后主要的辐照缺陷为VO(830cm-1)复合体,其退火温度随辐照剂量的升高而升高,这是由于低辐照剂量下,VO主要形成在大缺陷附近,因而具有较低的退火温度,随辐照剂量的增加,VO的绝大部分出现在晶体完整区,因此具有较高的退火温度。同时在860cm-1处出现一吸收峰,与VO退火行为极其相似,低于300℃热处理,两吸收峰的强度几乎不变,400℃热处理又同时消失,认为860cm-1吸收峰与VO具有相似的结构,400℃退火伴随830cm-1和860cm-1吸收峰的消失出现了889cm-1(VO2)吸收峰,400℃延长时间热处理889cm-1峰的强度几乎不变,可见电子辐照的硅中VO2的形成主要在退火初期,并且很快达到饱和,因此即使延长时间,也不会变化。当温度升高至5000C时,889cm-1峰的强度明显减弱,到6000C时完全消失。另外实验还发现不同氧含量产生的VO2复合体的强度不同,氧含量越高峰越强,可能是由于在氧含量高的样品中,VO与氧结合的几率要高于VO分解的几率。
【基金】 国家自然科学基金(50472034);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20050080006);河北省自然科学基金(E2005000048)资助
- 【会议录名称】 第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第14届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2006-11
- 【会议地点】中国福建福州
- 【分类号】O77
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会