6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

【作者】 韩荣江； 王继扬； 胡小波； 徐现刚； 董捷； 李现祥；

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室；

【摘要】 <正>SiC在大功率、高温、高频器件领域有巨大的应用前景。目前,采用改进的Lely法是得到大尺寸SiC单晶的常用方法,应用此方法得到的6H-SiC体块单晶还存在如微管、小角度晶界等结构缺陷,这些缺陷对制造SiC器件或者作为衬底材料都是相当不利的。另一方面SiC单晶衬底片目前价格高。因此,利用既快速易行又无破坏性的检测方法对微管、小角度晶界进行研究,对于指导生长实验,得到更高质量的SiC单晶是十分有意义的。利用偏光显微技术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC更多还原