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SiC多晶片在高能电子束照射下枝晶生长现象
【作者】 李现祥； 徐现刚； 胡小波； 韩荣江； 董捷； 王继扬； 蒋民华；
【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室；
【摘要】 <正>SiC因其具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电压等独特的物理性质和电子学特性,被认为是制作高温、高频、大功率抗辐射器件的理想半导体材料。目前,采用改进的Lely法(PVT)是得到大尺寸SiC单晶(多晶)的理想方法。我们利用自发成核升华法生长SiC多晶,将SiC多晶片进行机械研磨,离子束减薄。利用透射电镜进行观察,发现
【基金】 国家863计划;国家自然科学基金(60025409)
- 【会议录名称】 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集
- 【会议名称】中国硅酸盐学会2003年学术年会
- 【会议时间】2003
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国硅酸盐学会（The Chinese Ceramic Society）