High-k材料研究进展与存在的问题

【作者】 杨雪娜； 王弘； 张寅； 姚伟峰； 尚淑霞； 周静涛； 刘延辉；

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室；

【摘要】 <正>21世纪是以信息产业为重要支撑的知识经济时代。随着信息技术向数字化、网络化的迅速发展,超大容量信息传输,超快实时信息处理和超高密度信息存储已成为信息技术追求的目标。随着集成电路按照摩尔定律的飞速发展,SiO₂作为传统的栅介质将不能满足MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）器件的高集成度要求,因此,有必要研究新一代High-k材料来替代传统的SiO₂。选择一种适当的High-k材料,需要综合考虑以下几方面的问题:（1）具有高介电常数、高的势垒和能隙;（2）在Si上有良好的热稳定性;（3）与Si之间不发生界面反应;（4）非晶态栅介质更理想;（5）具有良好的更多还原