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用MOCVD法在LiGaO2（001）上生长GaN的研究
【作者】 杨卫桥； 干富熹； 邓佩珍； 徐军； 李抒智； 张荣；
【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所； 南京大学物理系；
【摘要】 <正>在过去的10多年的时间内,大量的探索和研究使宽禁带GaN系半导体成为21世纪末最括跃的半导体材料系。目前已经能用Ⅲ-Ⅴ族氮化物制备出高亮度的蓝、绿光发光二极管(LED),达到了商业化水平,并在GaN基的量子阱结构中获得了室温连续激光输出。这些进展都是基于GaN外延膜质量的不断提高。回顾这些研究的发展过程,GaN系材料的研究进展还是相当缓慢的。主要原因在于没有找到与GaN匹配很好的衬底材料,如目前使用最多的蓝宝石衬底与GaN的晶格失配度高
- 【会议录名称】 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集
- 【会议名称】中国硅酸盐学会2003年学术年会
- 【会议时间】2003
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国硅酸盐学会（The Chinese Ceramic Society）