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生长条件对PZNT单晶压电性能的影响及其改进
【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所；
【摘要】 <正>近几年,驰豫铁电晶体PZNT和PMNT由于具有非常优异的压电性能受到晶体界和产业界的广泛关注,但由于晶体尺寸和均匀性问题一直无法大量得到应用。我们采用Flux-Bridgman方法成功生长了较大尺寸的PZNT单晶。介绍了在改进PZNT晶体压电性能及其均匀性方面的最新研究结果。采用在坩埚底部通气诱导成核的Flux-Bridgman方法生长PZNT晶体。由于PZNT是从高温溶液中生长的,溶质的输运、通气流量、气流的稳定性、生长速率等生长参数都会影响到晶体的质量,特别是容易形成以PbO为主要成分的红色包裹体以及因热应力引起的晶体开裂。在助熔剂生长方法中,溶质会随着生长的
- 【会议录名称】 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集
- 【会议名称】中国硅酸盐学会2003年学术年会
- 【会议时间】2003
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国硅酸盐学会（The Chinese Ceramic Society）