SiC单晶生长的研究

【作者】 陈小龙； 倪代秦； 李河清； 吴星； 胡伯清；

【机构】 中国科学院物理研究所；

【摘要】 <正>以碳化硅(SiC)及GaN为代表的宽禁带材料,是继Si和GaAS之后的第三代半导体。与Si相比,SiC具有宽禁带(Si的2～3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5倍)、化学性能稳定、高硬度、抗磨损以及高键合能等优点。所以,SiC特别适合于制造高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。此外,六方SiC与GaN晶格和热膨胀相匹配,是制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。目前,国际上只有少数几个更多还原