【作者】 谭继廉； 卢子伟； 张金霞； 李存瑶； 田大宇； 宁宝俊； 张录；

【Author】 TAN Jilian LU Ziwei ZHANG Jinxia LI Cunfan (Intitute of Modern Physics,CAS,Lanzhou 730000,China) TIAN Da-yu NING Bao-jun ZHANG Lu (Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China)

【机构】 中国科学院近代物理研究所； 北京大学微电子所；

【摘要】 本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下（例如150伏）可以得到较厚的耗尽层（例如4mm）。测量结果显示,对²⁰⁷Bi内转换电子源975.6KeV峰的能量分辨为大约30KEY。另外,这种探测器反向漏电流小（150偏压下其反向漏电流典型值小于20nA）,可经受高温（60℃）的考验。更多还原

【Abstract】 The fabrication technology and performances of a thick depletion layer Si detector with pile-up structure besed on planar technology and ion implanted technique were described.The outstanding advantage of the detector is that under lower bias voltage （e.g.150 V） may obtain thicker depletion layer （e.g.4mm）. Measurement results indicate that the energy resolution is about 30 KeV for 975.6KeV peak of ²⁰⁷Bi inner-conversion electron source.In addition the detectors have low leakage current（typical value is smaller then 20 nA under 150 V bias）.At the temperature of 60℃the variating of performances was allowable for space application.更多还原