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半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)

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【作者】 吉元田彦宝王俊忠张隐奇牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地

【机构】 北京工业大学固体微结构与性能研究所北京工业大学光电子技术研究所

【摘要】 <正>1.引言半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米~几十纳米,采用 X 射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的

  • 【会议录名称】 第二届全国背散射电子衍射(EBSD)技术及其应用学术会议暨第六届全国材料科学与图像科技学术会议论文集
  • 【会议名称】第二届全国背散射电子衍射(EBSD)技术及其应用学术会议暨第六届全国材料科学与图像科技学术会议
  • 【会议时间】2007-08
  • 【会议地点】中国内蒙古包头
  • 【分类号】TN304.054
  • 【主办单位】中国体视学学会材料科学分会
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