半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)

【作者】 吉元； 田彦宝； 王俊忠； 张隐奇； 牛南辉； 徐晨； 韩军； 郭霞； 沈光地；

【机构】 北京工业大学固体微结构与性能研究所； 北京工业大学光电子技术研究所；

【摘要】 <正>1．引言半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用 X 射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的更多还原