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稀土Pr对（Co,Nb）掺杂SnO2压敏电阻电学性质的影响
【机构】 山东大学物理与微电子学院；
【摘要】 本文研究了稀土Pr对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Pr6O11的含量从0增加到0.1 mol%,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从827V/mm猛增到2150V/mm.样品的微观结构分析发现.当Pr6O11的含量从0增加到0.1 mol%时,SnO2的晶粒尺寸由4.50μm迅速藏小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的原因.对Pr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.05 mol%Pr6O11的SnO2压敏电电阻非线性系数高达61,击穿电压高达1540V/mm,掺杂0.01 mol% Pr6O11的SnO2压敏电阻非线性系数高达42,击穿电压高达2150V/mm,它们在超高压保护领域会有很好的应用前景。
- 【会议录名称】 中国电子学会第十三届电子元件学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会第十三届电子元件学术年会
- 【会议时间】2004-06
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TM54
- 【主办单位】中国电子学会元件分会、中国电子元件行业协会、IEEE北京分会CPMT专业委员会、UFFC专业委员会