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表面猝灭作用对纳米CdS：Eu3+发光动力学的影响
【机构】 北京交通大学光电子技术研究所教育部发光和光信息技术重点实验室；
【摘要】 纳米材料表面存在大量的悬键、不饱和键、表面缺陷以及大的比表面积使其具有较高的表面活性,这使得掺杂纳米材料离子中心与表面的相互作用比体材料显著增强,从而导致其无辐射弛豫速率增大。本文由纳米材料中掺杂的离子到表面猝灭中心的能量传递出发,建立表面猝灭模型,用这个模型计算了球形纳米微粒中离子中心发光的量子效率及衰减曲线,并用此衰减曲线对文献中报道的不同粒径的硫化镉掺杂三价铕的5D0→7F2发光衰减进行了拟合。
- 【会议录名称】 第11届全国发光学学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第11届全国发光学学术会议
- 【会议时间】2007-08
- 【会议地点】中国吉林长春
- 【分类号】O482.31
- 【主办单位】中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会