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氧化钒薄膜电阻PSPICE模型及特性分析

Characteristics Analysis and PSPICE Model of Vanadium Oxide Thin Film Resistance

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【作者】 黎文模陈向东

【Author】 LI Wen-mu, CHEN Xiang-dong (School of Computer and Communication Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031 ,CHN)

【机构】 西南交通大学计算机与通信工程学院

【摘要】 在分析了热敏电阻红外探测器工作原理的基础上,利用PSPICE的多项式受控源和现有器件,建立了氧化钒热敏电阻的等效子电路模型,进而推导出氧化钒热敏薄膜红外探测器的PSPICE等效模型。对子电路等效模型进行了PSPICE模拟,模拟结果与理论推导公式相一致。并利用模拟结果分析了薄膜电阻率与温度系数之间的关系,该模型也可用于其他类型的热敏薄膜探测器,具有一定的通用性。

【Abstract】 Based on the principle analysis of thermosensitive resistance infrared detector,the equivalent sub-circuit model of vanadium oxide resistance is established and simulated by using the existing PSPICE element. The simulated result agrees well with the experimental ones. The relationship between thin film resistivity and temperature coefficient is analyzed by using the result of simulation. The model parameter can be defined to simulate other thermosensitive resistance infrared detector.

【关键词】 红外探测器PSPICE氧化钒电阻温度系数模拟
【Key words】 infrared detectorPSPICEvanadium oxideTCRmodeling
  • 【会议录名称】 2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集
  • 【会议名称】2004全国图像传感器技术学术交流会
  • 【会议时间】2004
  • 【分类号】TN215
  • 【主办单位】《半导体光电》编辑部
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