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SiC晶体生长中的流场与浓度场数值模拟
【机构】 中国科学院力学研究所国家微重力实验室；
【摘要】 <正> 碳化硅单晶(SiC)是广泛应用于大功率、高频率等电子元器件的第3代半导体材料,其生长机理与制备工艺是当前国内外学术研究的热点。大块碳化硅单晶主要采用物理气相输运法(PVT)进行制备,由于实验观测手段的限制,模型化研究成为理解其生长机理,指导实验与优化设计的有效手段。本文考虑碳化硅大块单晶PVT生长系统中的组分气体输运与结晶的生长动力学,通过求解N-S方程、组分方程与生长动力学方程,得到了生长室内气体组分的流场与浓度分布。
- 【会议录名称】 中国力学学会学术大会’2005论文摘要集（下）
- 【会议名称】中国力学学会学术大会’2005
- 【会议时间】2005-08
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国力学学会、北京工业大学