太赫兹脉冲在半导体材料中的光致瞬态电流效应研究

【作者】 苏付海； Frank.A.Hegmann； 徐文； 蔡伟平；

【机构】 中科院固体物理研究所,纳米材料与结构研究室； Department of Physics,University of Alberta,Edmonton,Alberta T6G 2G7,Canada；

【摘要】 太赫兹(THz)光是介于红外和微波之间,波长范围位于0.03mm-3mm范围的电磁波。基于超快光学技术,利用飞秒激光脉冲可以在非线光学晶体、半导体、空气等离子体等介质中产生亚皮秒脉宽的宽频谱太赫兹脉冲,并可对其电场或磁场波形进行相干采样,从而可直接获得太赫兹电磁场幅度和相位信息。最近几年,强太赫兹脉冲产生技术得以突破,将脉冲能量由纳焦量级提升到了微焦级别,太赫兹峰值电场目前可达到Mv/cm量级。强太赫兹脉冲可引起半导体导带电子的瞬态再分布,驱动电子远离能带极值点,产生非线性电子输运效应。更多还原