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化学气相沉积法的沉积速率对硅烷浓度的依赖
【机构】 北京联合大学电子自动化工程学院； 北京大学电子学系；
【摘要】 用PECVD(plasm enhanced chem icaldeposition)法制备非晶硅材料时,使用Ar气稀释SiH4,在SiH4浓度为10%左右时对于沉积速率有较大的提高,同时严重影响薄膜质量,本文分析这些影响的微观机理。
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会
- 【会议时间】1997-08-20
- 【会议地点】中国山东青岛
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会