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超长钨柱阵列场发射体导电衬底的改进及低电容门控的考虑
【作者】 刘光诒； 张力先； 朱长纯； 刘金声； 崔玉德； 林彰达；
【机构】 中国科学院电子学研究所； 西安交通大学电子系； 北京无线电测量研究所； 中国科学院半导体研究所； 中国科学院表面物理实验室；
【摘要】 采用离子束表面清净,随后原位离子束溅射沉积过渡层及金属Ni膜的双离子束沉积法,在超长钨阵列场发射体一侧抛光表面上成功地制备出了粘附良好、镜面光滑,能耐受热冲击的衬底,不仅可供制备各类引线,而且为制备低电容门极提供了必需的可刻图衬底。本文除介绍该衬底的制备与分析方法外,还给出了二种实现低电容门控的基本结构
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集（下册）
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第十届年会
- 【会议时间】1995-11-13
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN105
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会