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带漏流控制的锁存式敏感放大器

A Latch-type Sense Amplifier with Leakage Control

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【作者】 张家胜陈吉华徐庆光温亮

【Author】 Zhang Jiasheng Chen Jihua Xu Qingguang Wen Liang (School of Computer Science,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China)

【机构】 国防科技大学计算机学院

【摘要】 在大容量SRAM存储器中,敏感放大器成为影响SRAM读出数据的关键。本文对传统锁存式敏感放大器进行研究,提出了一种65nm工艺下带漏流控制的放大器改进方法,通过在放大器中增加位线漏流控制晶体管,加快位线放电速度。实验数据表明,改进后的放大器比原电路快了30.364ps,进一步提升了放大器的性能。

【关键词】 SRAM敏感放大器漏流控制
  • 【会议录名称】 第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集(A辑)
  • 【会议名称】计算机学会第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛
  • 【会议时间】2011-08-12
  • 【会议地点】中国四川成都
  • 【分类号】TP333;TN722
  • 【主办单位】中国计算机学会
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