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P型导电Ni0.9Cu0.1O透明氧化物半导体薄膜的研究
【机构】 复旦大学材料科学系；
【摘要】 <正>P型CuAlO2与透明氧化物InGaZnO4（IGZO）沟道层薄膜的发现开拓了透明电子学全新的研究领域—透明氧化物半导体（Transparent oxide semiconductor,TOS）,使得透明p-n结、晶体管以及相应的半导体器件的实现成为可能。然而目前已经实用化的TOS薄膜材料均为n型半导体,性能与之对应的p型材料则一直未能有重大进展,在新型TOS材料的研发、导电机理、合成工艺、新器件和新的应用领域的开拓等方面都有待进一步深入。
【基金】 国家自然科学基金资助项目(60671041)
- 【会议录名称】 TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’09全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2009-08-15
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TN304.21
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会