高Al组分AlGaN材料和深紫外LED的MOCVD外延生长

【作者】 王军喜； 闫建昌； 曾建平； 董鹏； 孙莉莉； 从培沛； 李晋闽；

【机构】 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 <正>基于A1GaN材料的深紫外发光二极管(UVLED,ultraviolet light-emitting diode)在生化探测、杀菌消毒、聚合物固化、无线通讯及白光照明等诸多领域有着广阔的应用前景,同时有着低电压、低功耗、小巧轻便、绿色环保、波长可调、迅速切换等众多优点,因而近年来受到越来越多的研究者的关注和重视。目前深紫外LED的发光效率还普遍较低,尤其是波长在UV-B(290-320nm)、UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED,量子效率一般不超过2%。之所以如此,一个重要原因就在于难于外延生长高质量的A1GaN材料,Al组分越高,外延生长难度越大,晶体质量越低。通过典型"两步法"MOCVD外延更多还原