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808nm半导体激光器材料参数的数值模拟研究
【作者】 车相辉； 陈宏泰； 林琳； 王晶； 张世祖； 徐会武； 刘会民； 王晓燕； 杨红伟； 安振峰；
【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所；
【摘要】 本文使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaAsP/AlGaAs分别限制单量子阱结构进行了模拟,研究了波导层的掺杂对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱808nm激光器材料。利用该材料制作成1mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装。并进行了测试,测试结果表明模拟与实验的结论一致,波导层的掺杂可以减小工作电压,从而提高了808nm半导体激光器的转换效率。
【关键词】 金属有机化学淀积(MOCVD)；
自洽二维数字模拟；
工作电压；
波导掺杂；
转化效率；
- 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
- 【会议时间】2010-01-13
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】TN248.4
- 【主办单位】中国有色金属学会