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一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟

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【作者】 陈景升左然于海群

【机构】 江苏大学能源与动力工程学院

【摘要】 <正>金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备蓝紫光发光二极管、大功率激光器和高电子迁移率晶体管(HEMT)等薄膜器件的关键工艺。在MOCVD中,为了得到均匀的组分和生长厚度,要求气流在平行于基片方向有均匀的温度场和浓度场,在垂直于基片方向有大的温度梯度,流动为平滑层流,没有涡旋,并且到达基片各点的反应粒子有相同的浓度。

【关键词】 多喷淋头MOCVD反应器设计GaN生长数值模拟
  • 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
  • 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
  • 【会议时间】2010-01-13
  • 【会议地点】中国江苏苏州
  • 【分类号】TN304.055
  • 【主办单位】中国有色金属学会
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