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MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究
【作者】 杜国同； 厦小川； 赵旺； 李香萍； 朱慧超； 马艳； 董鑫； 张宝林； 梁红伟； 赵涧泽； 孙景昌； 李硕石； 李长鸣； 陈睿姝；
【机构】 吉林大学集成光电子国家重点实验室电子科学与工程学院； 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室物理与光电工程学院；
【摘要】 ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。我们用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜,并在此基础上,采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜,进而制备出了ZnO和ZnMgO的异质、同质p-n结,并在室温下实现了其电注入发光。
- 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
- 【会议时间】2010-01-13
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】O614.241
- 【主办单位】中国有色金属学会