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高迁移率AlxGa1-xN/GaN异质结构材料生长研究
【作者】 许福军； 沈波； 苗振林； 宋杰； 黄呈橙； 杨志坚； 张国义；
【机构】 北京大学宽禁带半导体研究中心；
【摘要】 AlxGa1-xN/GaN异质结构材料在微波功率器件应用和二维电子气（2DEG）物理性质研究方面有重要价值。本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,重点研究了AIN插入层厚度对AlxGa1-xN/GaN势垒层晶体质量的影响,确认优化的AIN厚度可以有效减少AlxGa1-xN中贯穿位错密度和提高其应变均匀性,并有助于保持异质界面的平整度,从而有利于提高异质结构中2DEG的迁移率。在此基础上,进一步探索了稳定生长高迁移率AlxGa1-xN/GaN异质结构的途径,获得了2DEG室温Hall迁移率稳定大于1800cm2/Vs的宽窗口生长方法。采用这种方法生长的AlxGa1-xN/GaN异质结构的2DEG室温迁移率最高达到了2230cm2/Vs。
【关键词】 AlxGa1-xN/GaN异质结构；
MOCVD；
2DEG迁移率；
- 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
- 【会议时间】2010-01-13
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】O614.371
- 【主办单位】中国有色金属学会