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MOCVD生长Mg掺杂p型GaN薄膜材料的研究
【作者】 殷海波； 王晓亮； 胡国新； 冉军学； 张露； 肖红领； 李晋闽；
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 使用自主研制的7片2英寸MOCVD系统生长了GaN:Mg外延膜,并对样品进行热退火处理,制备出高质量的P型GaN薄膜。本文研究了掺Mg量对生长P型GaN的影响,结果表明:Mg流量较小时,薄膜的空穴浓度低;Mg流量过高时,晶体质量与表面形貌均恶化,薄膜的电学性质更差;我们在Mg流量适中时,获得了较高空穴浓度的P型GaN。针对上述结果,文中还深入讨论了GaN材料p型掺杂的相关机理和问题。
- 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
- 【会议时间】2010-01-13
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】O614.371
- 【主办单位】中国有色金属学会