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InGaAs/InP红外探测材料与线列器件的研究
【作者】 缪国庆； 金亿鑫； 宋航； 蒋红； 黎大兵； 李志明； 孙晓娟；
【机构】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；
【摘要】 InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面,良好材料稳定性,是一种理想短波红外探测器材料。本文主要是对探测范围0.9—1.7μm、256×1线列阵和探测范围1.8～2.4μm、128×1线列阵InGaAs/InP红外探测器材料与器件相关一些问题进行探讨研究。
【基金】 国家自然科学基金委员会对本项目研究的支持(50632060)
- 【会议录名称】 第十一届全国MOCVD学术会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国MOCVD学术会议
- 【会议时间】2010-01-13
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】TN215
- 【主办单位】中国有色金属学会