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全硅化场致发射冷阴极真空微电子二极管实验研究
【机构】 西安交通大学电子系；
【摘要】 本文详细介绍了利用半导体硅制作的场致发射冷阴极,并在实验上获得了理想的场致发射二极管特性,为进一步利用半导体材料开发新型真空微电子器件提供了实验基础。
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 中国科学技术协会首届青年学术年会论文集（工科分册·上册）
- 【会议时间】1992-04-01
- 【分类号】TN31