【作者】 边楠； 张晓丹； 张霞； 孙福和； 杨瑞霞； 赵颖；

【Author】 Bian Nan,Zhang Xiaodan,Zhang Xia,Sun Fuhe,Yang Ruixia,Zhao Ying (1.Institute of Photo-electronic Thin Film Device and Technique of Nankai University,Key Laboratory of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Photo-electronic Information Science and Technology(Nankai University,Tianjin University),Tianjin 300071,China; 2.College of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)

【机构】 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)； 河北工业大学信息学院；

【摘要】 利用超声雾化热分解技术（USP）,在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型Zn_1-xMg_xO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型Zn_1-xMg_xO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm²/（V.s）、载流子浓度为1.24×10¹⁸cm^-3。并尝试与FTO薄膜结合生成FTO/p-Zn_1-xMg_xO复合薄膜,应用于微晶硅薄膜电池前电极。更多还原