【作者】 杨凯； 武莉莉； 张静全； 冯良桓； 雷智； 王静雅； 徐福； 施琼； 蔡伟； 李卫； 蔡亚平； 黎兵； 郑家贵；

【Author】 Kai Yang,Li li Wu,Jingquan Zhang,Lianghuan Feng,Zhi Lei,Jingya Wang,Fu Xu,Qiong Shi,Wei Li, Yaping Cai,Bing Li,Wei Cai,Jiagui Zheng (The College of Materials Science and Engineering,Sichuan University,Chengdu,P.R.China,610064.)

【机构】 四川大学材料科学与工程学院；

【摘要】 本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质。用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线衍射谱显示退火后的AlSb多晶薄膜为闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约31nm。Hall效应测试结果表明薄膜为P型半导体。用原子力显微镜观察到薄膜的表面平整。通过紫外-可见光透射谱计算得到其间接禁带宽度为1.53eV。实验结果说明了用简单方法制备AlSb多晶薄膜的的可行性和其在太阳电池中的应用潜力。更多还原