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电化学沉积CuInSe2和Cu（In,Ga）Se2预制层
Electrodeposition of CuInSe2 and Cu（In,Ga） Se2 precursor films
【作者】 刘芳洋； 张治安； 赖延清； 刘军； 匡三双； 李劼； 刘业翔；
【Author】 Liu Fangyang,Lai Yanqing,Zhang Zhian,Liu Jun,Kuang Sanshuang,Li Jie,Liu Yexiang (School of Metallurgical Science and Engineering,Central South University,Changsha Hunan 410083,China)
【机构】 中南大学冶金科学与工程学院；
【摘要】 采用电沉积法制备了CuInSe2（CIS）和Cu（In,Ga）Se2（CIGS）预制层,通过循环伏安法探讨了电沉积的电化学行为,并研究了沉积电位对预制层性能的影响。研究表明:电沉积时,Cu最先还原,然后诱导Se的沉积,In和Ga则是以欠电位沉积的方式进入膜层。在出现极限还原电流的电位范围内电沉积获得了化学计量组成稳定可控且致密平整的CuInSe2预制层。电沉积的CIGS预制层均富铜且偏离理想化学计量组成较大;改良镀液后电沉积获得了化学计量组成为CuIn0.67Ga0.30Se2.11的预制层。
【关键词】 CuInSe2（CIS）；
Cu（In,Ga）Se2（CIGS）；
太阳电池；
电沉积；
化学计量组成；
- 【会议录名称】 第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代
- 【会议名称】第十届中国太阳能光伏会议
- 【会议时间】2008-09-19
- 【会议地点】中国江苏常州
- 【分类号】TM914
- 【主办单位】中国可再生能源学会、江苏省常州市人民政府、中国可再生能源学会太阳能光伏专委会