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射频高压耗尽PECVD技术制备高效率硅薄膜电池的研究

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【作者】 侯国付薛俊明袁育杰任慧志张德坤孙建郭群超陈新亮赵颖耿新华

【机构】 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

【摘要】 本文综合报道了南开大学采用高压耗尽RF-PECVD制备高效率微晶硅电池时几个关键问题的研究结果,主要包括器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法;梯度氢稀释法对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用;高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等。最终采用高压耗尽RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.61%。

【基金】 国家重点基础研究发展计划项目(2006CB202602和2006CB202603);科技部国际合作重点项目(2006DFA62390);国家科技计划配套项目(07QTPTJC29500)的资助
  • 【会议录名称】 第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代
  • 【会议名称】第十届中国太阳能光伏会议
  • 【会议时间】2008-09-19
  • 【会议地点】中国江苏常州
  • 【分类号】TM914
  • 【主办单位】中国可再生能源学会、江苏省常州市人民政府、中国可再生能源学会太阳能光伏专委会
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