【作者】 蒋仙； 李剑； 孙世龙； 陈如龙； 张光春； 施正荣；

【Author】 Xian Jiang,Jian Li,Shi long Sun,Rulong Chen,Guangchun Zhang,Zhengrong Shi (Wuxi Suntech Power Co.,Ltd.,Wuxi 214028,China)

【机构】 尚德电力控股有限公司；

【摘要】 本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。更多还原

【Abstract】 This paper study the effect of crystallite area of multicrystalline silicon wafer on wafer minority carrier lifetime and solar cell performance.As the gathered area of grain boundary,dislocation and impurity,crystallite area is the strong recombination center of minority carrier,which will decrease minority carrier lifetime obviously.In crystallite area,especially at grain boundary,the generation of electric SiC will result in seriously cell creepage or even PN junction shorting,which will have bad effect on solar cell.更多还原