【作者】 赵雷； 刁宏伟； 曾湘波； 周春兰； 李海玲； 王文静；

【Author】 Zhao Lei~1,Diao Hongwei~1,Zeng Xiangbo~2,Zhou Chunlan~1,Li Hailing~1,Wang Wenjing~1 (1.Group of Solar Cell Technology,Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China; 2.Institute of semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 采用拉曼（Raman）光谱、傅里叶变换红外光谱（FTIR）测试和少子寿命测量相结合的方法,研究了不同晶相结构的薄膜硅材料在晶硅表面上的钝化效果。结果表明,相比纳米晶、微晶等晶相结构,非晶硅的钝化效果最好。分析认为,薄膜硅材料中H原子含量越多,钝化效果越好,并且钝化效果与H原子的成键方式有关, Si-H键处于致密的非晶硅薄膜材料内,具有最佳的钝化效果,Si-H₂键处于非晶/结晶相的界面上或者薄膜内的微空洞处,钝化效果较弱。更多还原