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SiC晶体生长中籽晶缺陷的延伸及抑制
【机构】 西安理工大学电子工程系；
【摘要】 对用升华法所生长的SiC单晶体取得了近籽晶处的横纵切片,使用SEM、光学显微镜对样品进行了观察,分析表明按传统工艺粘贴的籽晶在生长之后存在次生缺陷一热分解坑。提出了通过优化初期生长工艺来抑制部分籽晶缺陷的延伸,利用KOH腐蚀法对样品横切片进行了腐蚀,并对腐蚀后的样品进行了缺陷密度统计,结果表明采用传统降压方式晶体缺陷密度为1.32×105cm-2左右,改进降压方式后缺陷密度为7.84×104cm-2左右。
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O77
- 【主办单位】中国晶体学会