表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

【作者】 颜涛； 姚淑华； 刘宏； 王继扬； 左致远； 夏宗仁； 吴剑波；

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室； 中电科技德清华莹电子有限公司；

【摘要】 <正>钽酸锂（LiTaO₃,LT）晶体是一种典型的多功能材料,具有良好的压电、铁电、热释电、声光、电光、光折变及非线性等物理性能,在声表面波（SAW）器件、光通讯、激光及光电子领域中得到广泛应用^[1,2]。LT晶体热释电系数很高,使得晶片表面容易形成大量静电荷,在SAW器件的制作过程中因放电导致晶片开裂、微畴反转和叉指电极烧毁等诸多问题。研究表明,经还原处理的黑色LT晶片,热释电效应明显降低,可以避免静电场的产生^[3-5]。本研究选用SAW器件制备常用的Y36°晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片（CLT）和深度还原黑色LT晶片（BLT）的电学性能测试进行比较研究,探讨了表面还原处理对钼酸锂晶片电学性能的影响。X-射线衍射研究发现,还原处理对钼酸锂晶体结构没有明更多还原