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表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响
【作者】 颜涛; 姚淑华; 刘宏; 王继扬; 左致远; 夏宗仁; 吴剑波;
【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室; 中电科技德清华莹电子有限公司;
【摘要】 <正>钽酸锂(LiTaO3,LT)晶体是一种典型的多功能材料,具有良好的压电、铁电、热释电、声光、电光、光折变及非线性等物理性能,在声表面波(SAW)器件、光通讯、激光及光电子领域中得到广泛应用[1,2]。LT晶体热释电系数很高,使得晶片表面容易形成大量静电荷,在SAW器件的制作过程中因放电导致晶片开裂、微畴反转和叉指电极烧毁等诸多问题。研究表明,经还原处理的黑色LT晶片,热释电效应明显降低,可以避免静电场的产生[3-5]。本研究选用SAW器件制备常用的Y36°晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色LT晶片(BLT)的电学性能测试进行比较研究,探讨了表面还原处理对钼酸锂晶片电学性能的影响。X-射线衍射研究发现,还原处理对钼酸锂晶体结构没有明
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国晶体学会