磷注入法合成磷化铟

【作者】 孙聂枫； 毛陆虹； 郭维廉； 吴霞宛； 杨瑞霞； 周晓龙； 孙同年；

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所 国家专用集成电路重点实验室； 天津大学电子信息工程学院； 河北工业大学； 河北工业大学信息工程学院；

【摘要】 磷化铟(IMP)是一种重要的化合物半导体材料。InP作为衬底材料主要有两种应用途径:1、光电器件,包括光源(LED、LD)和探测器(PD、APD)等,主要用于长波长光纤通讯系统。2、电子器件包括高速高频微波器件(HEMT、HBT)和光电集成电路(OEIC)。InP材料在微波、毫米波器件中的应用正受到越来越多的关注,这就需要衬底为优质的半绝缘材料,高纯InP是制备高质量InP单晶特别是低铁含量的半绝缘和非掺杂退火半绝缘InP单晶的前提条件。高质量半绝缘InP材料的电学性质主要由合成材料的纯度来保证。因此,开展高纯InP多晶合成的工艺和理论研究成为本领域的热点。更多还原