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Ru/SiC接触特性研究
【机构】 中国科学院物理研究所；
【摘要】 <正>Ru是Pt族金属,已被成功用作n型或P型6H-SiC的整流电极。其功函数为5.4eV,具有熔点高(2400℃),化学稳定性好,在其它金属中的固溶度低的特点。采用直流磁控溅射法在n-SiC的Si面制备好金属电极后,将样品于400-1000℃退火5-10分钟。经800℃和1000℃退火后Ru(40nm)/SiC电极的I-V特性曲线为良好线性,表明在SiC上获得良好欧姆接触。为了解界面的反应机理,对800℃退火后的Ru(40nm)/SiC电极进行了AES元素深度分布的测试,如图1所示,横坐标为溅射时间,与溅射深度有对应关系,纵坐标为元素的原子百分比,Ar~+离子剥蚀速率约为80nm/min。金属/SiC界面在热处理过程中,通过扩散和相变反应,化学成分和结构发生显著的变化。样品表面主要存在着C,电极层中无碳化物生成,且氧的含量极低。结合XRD
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O611.3
- 【主办单位】中国晶体学会